电气参数

频率：需与电路要求严格匹配，例如在微控制器系统中，常见的有 8MHz、16MHz 等，为芯片提供稳定的时钟信号。如果是无线通信设备，可能会用到几百 MHz 甚至数 GHz 的晶振，以满足射频信号的频率要求。

频率精度：用 ppm（百万分之一）表示，普通消费级产品可能要求几十 ppm，而通信、航空航天等对频率稳定性要求高的领域，可能需要 1ppm 甚至更高精度。

频率稳定度：受温度、电压等因素影响，要根据应用环境选择。如在工业控制领域，环境温度变化大，需选择温度稳定性好的晶振。一般通过温度补偿等技术来改善其稳定性。

负载电容：与晶振配合的外部电容，需与电路设计中的负载电容要求相符，常见值有 8pF、12pF、16pF 等。如果负载电容不匹配，会导致实际振荡频率与标称频率有偏差。

等效串联电阻（ESR）：影响晶振的起振特性和能量损耗，低 ESR 有利于快速起振和降低功耗。在对功耗和起振速度要求较高的电路中，应选择 ESR 较小的晶振。

物理特性

封装形式：常见的有插件式（DIP）和贴片式（SMD）。插件式适合手工焊接和对空间要求不高的场合；贴片式体积小，适合表面贴装工艺和高密度电路板设计，如手机、平板电脑等便携式设备中多采用 SMD 封装的晶振。

尺寸：根据电路板空间选择，随着电子产品小型化趋势，晶振尺寸越来越小，如 3225、2520、1612 等（单位：mm），但小尺寸晶振在某些性能上可能不如大尺寸的。

工作环境

温度范围：普通民用级晶振工作温度范围一般为 0 - 70℃，工业级为 -40 - 85℃，汽车级要求更宽，分别为 -40 - 125℃和更严格的温度区间。在特殊环境下工作的设备，必须选择相应温度等级的晶振。

振动和冲击：对于应用于汽车、航空航天等领域的晶振，可能会受到振动和冲击，因此要考虑其抗振动和抗冲击性能。一些晶振通过特殊的封装设计和内部结构优化来提高这方面的性能。